Reazzjoni Bonded Silicon Carbide Tile
Vantaġġi tar-Reazzjoni Bonded Silicon Carbide
1) Densità baxxa.
2) Reżistenza għall-korrużjoni.
3) Ilbes reżistenza.
4) Reżistenza għall-ossidazzjoni.
5) Reżistenza għall-brix.
6) Reżistenza tajba għal xokk termali (minħabba koeffiċjent ta 'espansjoni termali baxx u konduttività termali għolja).
7) Qawwa Eċċellenti f'temperatura għolja.
8) Kontroll dimensjonali tajjeb ta 'forom kumplessi.
Prodotti reżistenti għall-ilbies: Pjanċa tal-karbur tas-silikon, briks tal-karbur tas-silikon, inforra tal-pajpijiet, kon tal-pajp, ċiklun, eċċ.
Għamara tal-kalkara: Pjanċa, Raġġ, Romblu, Żennuna tal-Berner, Raġġ tond, raġġ kwadru, raġġ ta 'toqba. Griġjol, Sagger, eċċ.
Oħrajn: Żennuni tad-desulfurizzazzjoni
Applikazzjoni ta 'Reazzjoni Bonded Silicon Carbide:
Il-karbur tas-silikon magħqud bir-reazzjoni wera li huwa għażla ta 'materjal eċċellenti għal applikazzjonijiet ta' xedd bħal inforri tal-pajpijiet, Żennuni, ċowk tal-kontroll tal-fluss u komponenti akbar ta 'xedd fil-minjieri kif ukoll f'industriji oħra.
Parametru Prinċipali
| Proprjetajiet | Unitajiet | SiSiC/RBSIC |
| Densità tal-massa (SiC) | V01% | ≥85 |
| Densità tal-massa | g/ċm3 | 3.01 |
| Porożità apparenti | % | ＜0.1 |
| Modulu ta 'qsim f'20℃ | Mpa | 250 |
| Modulu ta 'qsim f'1200℃ | Mpa | 280 |
| Modulu ta 'elastiċità f'20℃ | Gpa | 330 |
| Toughness tal-ksur | Mpa*m1/2 | 3.3 |
| Konduttività Termali f'1200℃ | wm-1.k-1 | 45 |
| Espansjoni termali f'1200℃ | a×10-6/℃ | 4.5 |
| Reżistenza għal xokk termali f'1200℃ | Tajjeb ħafna | |
| Koeffiċjent tar-radjazzjoni tas-sħana | <0.9 | |
| Max.working temperatura | ℃ | 1350 |
Daqs
jistgħu jiġu personalizzati skond il-ħtiġijiet tal-klijent.
Servizz
Aħna naċċettaw ordnijiet tad-dwana.
Jekk trid tkun taf aktar informazzjoni dwar il-prodott, merħba tikkuntattjana u aħna naffordjawk l-aktar prodott adattat u l-aħjar servizz!
